Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
Номер деталі
SIA421DJ-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SC-70-6
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® SC-70-6 Single
Розсіювана потужність (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
950pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 19160 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIA421DJ-T1-GE3
SIA421DJ-T1-GE3 Електронні компоненти
SIA421DJ-T1-GE3 Продажі
SIA421DJ-T1-GE3 Постачальник
SIA421DJ-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIA421DJ-T1-GE3 Таблиця даних
SIA421DJ-T1-GE3 Фотографії
SIA421DJ-T1-GE3 Ціна
SIA421DJ-T1-GE3 Пропозиція
SIA421DJ-T1-GE3 Найнижча ціна
SIA421DJ-T1-GE3 Пошук
SIA421DJ-T1-GE3 Закупівля
SIA421DJ-T1-GE3 Чіп