Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
Номер деталі
SIB456DK-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SC-75-6L
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® SC-75-6L Single
Розсіювана потужність (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
130pF @ 50V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 45463 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIB456DK-T1-GE3
SIB456DK-T1-GE3 Електронні компоненти
SIB456DK-T1-GE3 Продажі
SIB456DK-T1-GE3 Постачальник
SIB456DK-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIB456DK-T1-GE3 Таблиця даних
SIB456DK-T1-GE3 Фотографії
SIB456DK-T1-GE3 Ціна
SIB456DK-T1-GE3 Пропозиція
SIB456DK-T1-GE3 Найнижча ціна
SIB456DK-T1-GE3 Пошук
SIB456DK-T1-GE3 Закупівля
SIB456DK-T1-GE3 Чіп