Купити Vishay Siliconix SIB456DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIB456DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Номер деталі

SIB456DK-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SC-75-6L

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SC-75-6L Single

Розсіювана потужність (макс.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

185 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

130pF @ 50V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 45463 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIB404DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L