Купити Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Номер деталі

SIE820DF-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

10-PolarPAK® (S)

Пакет пристроїв постачальника

10-PolarPAK® (S)

Розсіювана потужність (макс.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

143nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

4300pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 9859 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK