Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
Номер деталі
SIE820DF-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
10-PolarPAK® (S)
Пакет пристроїв постачальника
10-PolarPAK® (S)
Розсіювана потужність (макс.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
143nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4300pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±12V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 9859 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIE820DF-T1-GE3
SIE820DF-T1-GE3 Електронні компоненти
SIE820DF-T1-GE3 Продажі
SIE820DF-T1-GE3 Постачальник
SIE820DF-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIE820DF-T1-GE3 Таблиця даних
SIE820DF-T1-GE3 Фотографії
SIE820DF-T1-GE3 Ціна
SIE820DF-T1-GE3 Пропозиція
SIE820DF-T1-GE3 Найнижча ціна
SIE820DF-T1-GE3 Пошук
SIE820DF-T1-GE3 Закупівля
SIE820DF-T1-GE3 Чіп