Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIE832DF-T1-GE3

SIE832DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
Номер деталі
SIE832DF-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
10-PolarPAK® (S)
Пакет пристроїв постачальника
10-PolarPAK® (S)
Розсіювана потужність (макс.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
40V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
77nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
3800pF @ 20V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 47842 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIE832DF-T1-GE3
SIE832DF-T1-GE3 Електронні компоненти
SIE832DF-T1-GE3 Продажі
SIE832DF-T1-GE3 Постачальник
SIE832DF-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIE832DF-T1-GE3 Таблиця даних
SIE832DF-T1-GE3 Фотографії
SIE832DF-T1-GE3 Ціна
SIE832DF-T1-GE3 Пропозиція
SIE832DF-T1-GE3 Найнижча ціна
SIE832DF-T1-GE3 Пошук
SIE832DF-T1-GE3 Закупівля
SIE832DF-T1-GE3 Чіп