Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIHH180N60E-T1-GE3

SIHH180N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH PPAK 8X8
Номер деталі
SIHH180N60E-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
E
Статус частини
Active
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-PowerTDFN
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 8 x 8
Розсіювана потужність (макс.)
114W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Напруга відведення до джерела (Vdss)
600V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
33nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1085pF @ 100V
Vgs (макс.)
±30V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 33987 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIHH180N60E-T1-GE3
SIHH180N60E-T1-GE3 Електронні компоненти
SIHH180N60E-T1-GE3 Продажі
SIHH180N60E-T1-GE3 Постачальник
SIHH180N60E-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIHH180N60E-T1-GE3 Таблиця даних
SIHH180N60E-T1-GE3 Фотографії
SIHH180N60E-T1-GE3 Ціна
SIHH180N60E-T1-GE3 Пропозиція
SIHH180N60E-T1-GE3 Найнижча ціна
SIHH180N60E-T1-GE3 Пошук
SIHH180N60E-T1-GE3 Закупівля
SIHH180N60E-T1-GE3 Чіп