Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SIHH20N50E-T1-GE3

SIHH20N50E-T1-GE3

MOSFET N-CH 500V 22A POWERPAK8
Номер деталі
SIHH20N50E-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
E
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-PowerTDFN
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 8 x 8
Розсіювана потужність (макс.)
174W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
500V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
147 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
84nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2063pF @ 100V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 38085 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SIHH20N50E-T1-GE3
SIHH20N50E-T1-GE3 Електронні компоненти
SIHH20N50E-T1-GE3 Продажі
SIHH20N50E-T1-GE3 Постачальник
SIHH20N50E-T1-GE3 Дистриб'ютор
SIHH20N50E-T1-GE3 Таблиця даних
SIHH20N50E-T1-GE3 Фотографії
SIHH20N50E-T1-GE3 Ціна
SIHH20N50E-T1-GE3 Пропозиція
SIHH20N50E-T1-GE3 Найнижча ціна
SIHH20N50E-T1-GE3 Пошук
SIHH20N50E-T1-GE3 Закупівля
SIHH20N50E-T1-GE3 Чіп