Купити Vishay Siliconix SIR626LDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

Номер деталі

SIR626LDP-T1-RE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET® Gen IV

Статус частини

Active

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8

Розсіювана потужність (макс.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

135nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

5900pF @ 30V

Vgs (макс.)

±20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 22113 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8