Купити Vishay Siliconix SIR646DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIR646DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO

Номер деталі

SIR646DP-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8

Розсіювана потужність (макс.)

5W (Ta), 54W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

40V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

51nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2230pF @ 20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 25652 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8