Купити Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Номер деталі

SIRA12DP-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8

Розсіювана потужність (макс.)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

45nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2070pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

+20V, -16V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 36345 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8