Купити Vishay Siliconix SIS414DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SIS414DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

Номер деталі

SIS414DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8

Розсіювана потужність (макс.)

3.4W (Ta), 31W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

33nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

795pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 51908 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8