Купити Vishay Siliconix SQD50N05-11L_GE3 MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SQD50N05-11L_GE3

MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Номер деталі

SQD50N05-11L_GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

TO-252AA

Розсіювана потужність (макс.)

75W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

50V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

52nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2106pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 36316 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252