Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
Номер деталі
SQJ262EP-T1_GE3
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SO-8 Dual
Потужність - Макс
27W (Tc), 48W (Tc)
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Функція FET
Standard
Напруга відведення до джерела (Vdss)
60V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35.5 mOhm @ 2A, 10V, 15.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 51979 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SQJ262EP-T1_GE3
SQJ262EP-T1_GE3 Електронні компоненти
SQJ262EP-T1_GE3 Продажі
SQJ262EP-T1_GE3 Постачальник
SQJ262EP-T1_GE3 Дистриб'ютор
SQJ262EP-T1_GE3 Таблиця даних
SQJ262EP-T1_GE3 Фотографії
SQJ262EP-T1_GE3 Ціна
SQJ262EP-T1_GE3 Пропозиція
SQJ262EP-T1_GE3 Найнижча ціна
SQJ262EP-T1_GE3 Пошук
SQJ262EP-T1_GE3 Закупівля
SQJ262EP-T1_GE3 Чіп