Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
Номер деталі
SQJ488EP-T1_GE3
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® SO-8
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® SO-8
Розсіювана потужність (макс.)
83W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
979pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 14862 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SQJ488EP-T1_GE3
SQJ488EP-T1_GE3 Електронні компоненти
SQJ488EP-T1_GE3 Продажі
SQJ488EP-T1_GE3 Постачальник
SQJ488EP-T1_GE3 Дистриб'ютор
SQJ488EP-T1_GE3 Таблиця даних
SQJ488EP-T1_GE3 Фотографії
SQJ488EP-T1_GE3 Ціна
SQJ488EP-T1_GE3 Пропозиція
SQJ488EP-T1_GE3 Найнижча ціна
SQJ488EP-T1_GE3 Пошук
SQJ488EP-T1_GE3 Закупівля
SQJ488EP-T1_GE3 Чіп