Купити Vishay Siliconix SQJ960EP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 60V 8A

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SQJ960EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 60V 8A

Номер деталі

SQJ960EP-T1_GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® SO-8 Dual

Потужність - Макс

34W

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® SO-8 Dual

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

735pF @ 25V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 24810 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8