Triode/MOS tube/transistor/module
Slkor (Sakor Micro)
Виробники
Type NPN IC(A) 1.8 VCBO(V) 40 VCEO(V) 25 VEBO(V) 5 VCE(sat)(V) 0.5
опис
Infineon (Infineon)
Виробники
ST (STMicroelectronics)
Виробники
AGM-Semi (core control source)
Виробники
Type: One N channel and one P channel 30V/-30 20/-18A 11/-17mΩ BLDC (brushless motor) recommended material
опис
TECH PUBLIC (Taizhou)
Виробники
GOFORD (valley peak)
Виробники
N-channel, 200V, 2A, 580mΩ@10V
опис
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
Виробники
PNP, Vceo=-50V, Ic=-150mA, Silkscreen CS
опис
HUASHUO (Huashuo)
Виробники
DIODES (US and Taiwan)
Виробники
onsemi (Ansemi)
Виробники
TECH PUBLIC (Taizhou)
Виробники
NPN, Vceo=40V, Ic=200mA, 350mW This model has 4 types of silk screen: 1AM, 1E, T1A, T04, will be shipped randomly
опис
VBsemi (Wei Bi)
Виробники
VBsemi (Wei Bi)
Виробники
WINSOK (Weishuo)
Виробники
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 7 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.69V 18 Qg(nC)@4.5V 6 QgS(nC) 2.5 Qgd(nC) 2.1 Ciss(pF) 572 Coss(pF) 81 Crss(pF) 65
опис
Infineon (Infineon)
Виробники