Triode/MOS tube/transistor/module

Номер деталі
OSRAM (OSRAM)
Виробники
опис
92411 PCS
В наявності
Номер деталі
ST (STMicroelectronics)
Виробники
опис
51274 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
The NFAL5065L4BT is an advanced Motion SPM module providing a fully functional, high performance inverter output stage for AC induction, BLDC and PMSM motors. These modules integrate optimized gate drive of the built-in IGBTs to minimize EMI and losses, while also providing multiple on-module protection features including undervoltage lockout, overcurrent shutdown, high temperature monitoring of the driver IC, and fault reporting . Requiring only one supply voltage, the built-in high-speed HVIC converts incoming logic-level gate inputs into the high-voltage, high-current drive signals required to properly drive the module's internal IGBTs. Each phase has separate negative IGBT terminals to support the widest range of control algorithms.
опис
71714 PCS
В наявності
Номер деталі
Infineon (Infineon)
Виробники
опис
65908 PCS
В наявності
Номер деталі
Infineon (Infineon)
Виробники
опис
99139 PCS
В наявності
Номер деталі
Infineon (Infineon)
Виробники
опис
88558 PCS
В наявності
Номер деталі
Infineon (Infineon)
Виробники
опис
97793 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
82231 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
Automotive Power MOSFETs for compact and efficient designs mounted in 5x6mm flat lead encapsulation with high thermal performance. Wettable flank options available for enhanced optical detection. AEC-Q101 qualified MOSFETs with Production Part Approval Process (PPAP) capability for automotive applications.
опис
75832 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
51021 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
99609 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
89922 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
опис
56599 PCS
В наявності
Номер деталі
onsemi (Ansemi)
Виробники
These N-Channel Power MOSFETs are manufactured using the innovative UItraFET process. This advanced process technology achieves the lowest on-state resistance per silicon area, resulting in outstanding performance. The device is capable of withstanding high energy in avalanche mode and the diode has extremely low reverse recovery time and stored charge. The device is designed for applications where energy efficiency is important, such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, low-voltage bus switches, and power management in portable and battery-operated products.
опис
56206 PCS
В наявності
Номер деталі
RENESAS (Renesas)/IDT
Виробники
опис
50038 PCS
В наявності
Номер деталі
RENESAS (Renesas)/IDT
Виробники
опис
82378 PCS
В наявності
Номер деталі
RENESAS (Renesas)/IDT
Виробники
опис
57055 PCS
В наявності
Номер деталі
RENESAS (Renesas)/IDT
Виробники
опис
50153 PCS
В наявності
Номер деталі
RENESAS (Renesas)/IDT
Виробники
опис
93451 PCS
В наявності
Номер деталі
ROHM (Rohm)
Виробники
опис
58375 PCS
В наявності