onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
4N33SR2M
DC input Isolation voltage (rms): 4170V Universal photoelectric Darlington optocoupler
Номер деталі
4N33SR2M
Категорія
Optocoupler/LED/Digital Tube/Optoelectronic Device > Optocoupler-Phototransistor Output
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
SMD-6P
Упаковка
taping
Кількість упаковок
1000
опис
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M, and TIL113M feature Gallium Arsenide Infrared Emitting Diodes optically coupled to silicon epitaxial planar photo Darlingtons.
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 96305 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
DC input Isolation voltage (rms): 4170V Universal photoelectric Darlington optocoupler
onsemi (Ansemi)
DC input Isolation voltage (rms): 4170V Universal photoelectric Darlington optocoupler
onsemi (Ansemi)
DC input Isolation voltage (rms): 4170V Universal photoelectric Darlington optocoupler
onsemi (Ansemi)
DC input Isolation voltage (rms): 4170V Universal photoelectric Darlington optocoupler
onsemi (Ansemi)
Ключові слова 4N33SR2M
4N33SR2M Електронні компоненти
4N33SR2M Продажі
4N33SR2M Постачальник
4N33SR2M Дистриб'ютор
4N33SR2M Таблиця даних
4N33SR2M Фотографії
4N33SR2M Ціна
4N33SR2M Пропозиція
4N33SR2M Найнижча ціна
4N33SR2M Пошук
4N33SR2M Закупівля
4N33SR2M Чіп