onsemi (Ansemi)
Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
NCD57090EDWR2G
Isolated High Current Gate Driver
Номер деталі
NCD57090EDWR2G
Категорія
Power Chip > Gate Driver IC
Виробник/бренд
onsemi (Ansemi)
Інкапсуляція
SOIC-8-5.9mm
Упаковка
taping
Кількість упаковок
1000
опис
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 64356 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 7.1A Source Current 7.8A Isolated High Current IGBT Gate Driver
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink Current 6.8A Source Current 7.8A IGBT Gate Drivers, High-Current, Stand-Alone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6A Source 4A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low-Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Low Side High Side IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Standalone
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink 6.8A Source 7.8A IGBT Gate Driver, High Current, Independent, Non-Inverting
onsemi (Ansemi)
Half Bridge IGBT Sink Current 2.3A Source Current 1.9A Half Bridge Gate Driver (Isolated High Side & Non-Isolated Low Side)
onsemi (Ansemi)
Ключові слова NCD57090EDWR2G
NCD57090EDWR2G Електронні компоненти
NCD57090EDWR2G Продажі
NCD57090EDWR2G Постачальник
NCD57090EDWR2G Дистриб'ютор
NCD57090EDWR2G Таблиця даних
NCD57090EDWR2G Фотографії
NCD57090EDWR2G Ціна
NCD57090EDWR2G Пропозиція
NCD57090EDWR2G Найнижча ціна
NCD57090EDWR2G Пошук
NCD57090EDWR2G Закупівля
NCD57090EDWR2G Чіп