Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
CDBJFSC5650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Номер деталі
CDBJFSC5650-G
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
-
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-220-2 Full Pack
Пакет пристроїв постачальника
TO-220F
Тип діода
Silicon Carbide Schottky
Струм - середнє випрямлене (Io)
5A (DC)
Напруга - вперед (Vf) (макс.) @ If
1.7V @ 5A
Струм - зворотний витік @ Vr
100µA @ 650V
Напруга - зворотний постійний струм (Vr) (макс.)
650V
швидкість
No Recovery Time > 500mA (Io)
Час зворотного відновлення (trr)
0ns
Робоча температура - спай
-55°C ~ 175°C
Ємність @ Vr, F
430pF @ 0V, 1MHz
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 45446 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова CDBJFSC5650-G
CDBJFSC5650-G Електронні компоненти
CDBJFSC5650-G Продажі
CDBJFSC5650-G Постачальник
CDBJFSC5650-G Дистриб'ютор
CDBJFSC5650-G Таблиця даних
CDBJFSC5650-G Фотографії
CDBJFSC5650-G Ціна
CDBJFSC5650-G Пропозиція
CDBJFSC5650-G Найнижча ціна
CDBJFSC5650-G Пошук
CDBJFSC5650-G Закупівля
CDBJFSC5650-G Чіп