Купити Diodes Incorporated DMG8601UFG-7 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Номер деталі

DMG8601UFG-7

Виробник/бренд

Diodes Incorporated

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerUDFN

Потужність - Макс

920mW

Пакет пристроїв постачальника

U-DFN3030-8

Тип FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

143pF @ 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 14874 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

DMG8601UFG-7

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN