Купити Diodes Incorporated DMNH10H028SK3-13 MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

DMNH10H028SK3-13

MOSFET N-CH 100V 55A TO252

Номер деталі

DMNH10H028SK3-13

Виробник/бренд

Diodes Incorporated

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

TO-252, (D-Pak)

Розсіювана потужність (макс.)

2W (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

55A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

36nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2245pF @ 50V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 47116 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

DMNH10H028SCT

MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T