DRDNB16W-7
TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
Номер деталі
DRDNB16W-7
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Потужність - Макс
200mW
Пакет пристроїв постачальника
SOT-363
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased + Diode
Струм - колектор (Ic) (макс.)
600mA
Напруга - пробій колектора емітера (макс.)
50V
Насичення Vce (макс.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Струм - відсічення колектора (макс.)
500nA
Коефіцієнт підсилення постійного струму (hFE) (хв.) @ Ic, Vce
56 @ 50mA, 5V
Частота - Перехід
200MHz
Резистор - база (R1)
1 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
10 kOhms
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 21417 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова DRDNB16W-7
DRDNB16W-7 Електронні компоненти
DRDNB16W-7 Продажі
DRDNB16W-7 Постачальник
DRDNB16W-7 Дистриб'ютор
DRDNB16W-7 Таблиця даних
DRDNB16W-7 Фотографії
DRDNB16W-7 Ціна
DRDNB16W-7 Пропозиція
DRDNB16W-7 Найнижча ціна
DRDNB16W-7 Пошук
DRDNB16W-7 Закупівля
DRDNB16W-7 Чіп