Купити Infineon Technologies BSP88H6327XTSA1 MOSFET N-CH 4SOT223

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

BSP88H6327XTSA1

MOSFET N-CH 4SOT223

Номер деталі

BSP88H6327XTSA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

SIPMOS®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-261-4, TO-261AA

Пакет пристроїв постачальника

PG-SOT223-4

Розсіювана потужність (макс.)

1.8W (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

240V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 108µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

95pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.8V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 23060 PCS

Контактна інформація