Купити Infineon Technologies BSZ100N06LS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Номер деталі

BSZ100N06LS3GATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerVDFN

Пакет пристроїв постачальника

PG-TSDSON-8

Розсіювана потужність (макс.)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

11A (Ta), 20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 23µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

45nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3500pF @ 30V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 26879 PCS

Контактна інформація