Купити Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1 MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

BUZ30AH3045AATMA1

MOSFET N-CH 200V 21A TO-263

Номер деталі

BUZ30AH3045AATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

SIPMOS®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

D²PAK (TO-263AB)

Розсіювана потужність (макс.)

125W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

200V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

21A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1900pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 17050 PCS

Контактна інформація