Купити Infineon Technologies FZ1800R12HE4B9HOSA2 MODULE IGBT IHMB190-2

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

FZ1800R12HE4B9HOSA2

MODULE IGBT IHMB190-2

Номер деталі

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

Статус частини

Active

Робоча температура

-40°C ~ 150°C

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

Module

Потужність - Макс

11000W

Конфігурація

Single Switch

Пакет пристроїв постачальника

Module

Струм - колектор (Ic) (макс.)

2735A

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

1200V

Струм - відсічення колектора (макс.)

5mA

Тип IGBT

Trench Field Stop

Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 1800A

Вхідна ємність (Cies) @ Vce

110nF @ 25V

Введення

Standard

Термістор NTC

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 50994 PCS

Контактна інформація