Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IPB100N04S2L03ATMA1

IPB100N04S2L03ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Номер деталі
IPB100N04S2L03ATMA1
Виробник/бренд
Серія
OptiMOS™
Статус частини
Discontinued at Digi-Key
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет пристроїв постачальника
PG-TO263-3-2
Розсіювана потужність (макс.)
300W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
40V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
230nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
6000pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 26893 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IPB100N04S2L03ATMA1
IPB100N04S2L03ATMA1 Електронні компоненти
IPB100N04S2L03ATMA1 Продажі
IPB100N04S2L03ATMA1 Постачальник
IPB100N04S2L03ATMA1 Дистриб'ютор
IPB100N04S2L03ATMA1 Таблиця даних
IPB100N04S2L03ATMA1 Фотографії
IPB100N04S2L03ATMA1 Ціна
IPB100N04S2L03ATMA1 Пропозиція
IPB100N04S2L03ATMA1 Найнижча ціна
IPB100N04S2L03ATMA1 Пошук
IPB100N04S2L03ATMA1 Закупівля
IPB100N04S2L03ATMA1 Чіп