Купити Infineon Technologies IPB200N25N3GATMA1 MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPB200N25N3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Номер деталі

IPB200N25N3GATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

D²PAK (TO-263AB)

Розсіювана потужність (макс.)

300W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

250V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

64A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 64A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 270µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

86nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

7100pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46441 PCS

Контактна інформація