Купити Infineon Technologies IPB26CN10NGATMA1 MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IPB26CN10NGATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

Номер деталі

IPB26CN10NGATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

D²PAK (TO-263AB)

Розсіювана потужність (макс.)

71W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 39µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

31nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2070pF @ 50V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 54808 PCS

Контактна інформація