Купити Infineon Technologies IPB320N20N3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPB320N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 34A TO263-3

Номер деталі

IPB320N20N3GATMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

D²PAK (TO-263AB)

Розсіювана потужність (макс.)

136W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

200V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

34A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 90µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

29nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2350pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 51670 PCS

Контактна інформація