Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IPB45N04S4L08ATMA1

IPB45N04S4L08ATMA1

MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
Номер деталі
IPB45N04S4L08ATMA1
Виробник/бренд
Серія
OptiMOS™
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет пристроїв постачальника
PG-TO263-3-2
Розсіювана потужність (макс.)
45W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
40V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.6 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 17µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2340pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
+20V, -16V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 28365 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IPB45N04S4L08ATMA1
IPB45N04S4L08ATMA1 Електронні компоненти
IPB45N04S4L08ATMA1 Продажі
IPB45N04S4L08ATMA1 Постачальник
IPB45N04S4L08ATMA1 Дистриб'ютор
IPB45N04S4L08ATMA1 Таблиця даних
IPB45N04S4L08ATMA1 Фотографії
IPB45N04S4L08ATMA1 Ціна
IPB45N04S4L08ATMA1 Пропозиція
IPB45N04S4L08ATMA1 Найнижча ціна
IPB45N04S4L08ATMA1 Пошук
IPB45N04S4L08ATMA1 Закупівля
IPB45N04S4L08ATMA1 Чіп