Купити Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Номер деталі

IPC26N12NX1SA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

Die

Пакет пристроїв постачальника

Sawn on foil

Розсіювана потужність (макс.)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

120V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

1A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 244µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 49070 PCS

Контактна інформація