Купити Infineon Technologies IPI023NE7N3 G MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

IPI023NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3

Номер деталі

IPI023NE7N3 G

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

OptiMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO262-3

Розсіювана потужність (макс.)

300W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

75V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 273µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

206nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

14400pF @ 37.5V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

Vgs (макс.)

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 13964 PCS

Контактна інформація