Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IPI057N08N3 G

IPI057N08N3 G

MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
Номер деталі
IPI057N08N3 G
Виробник/бренд
Серія
OptiMOS™
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Пакет пристроїв постачальника
PG-TO262-3
Розсіювана потужність (макс.)
150W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
80V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
69nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4750pF @ 40V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 22113 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IPI057N08N3 G
IPI057N08N3 G Електронні компоненти
IPI057N08N3 G Продажі
IPI057N08N3 G Постачальник
IPI057N08N3 G Дистриб'ютор
IPI057N08N3 G Таблиця даних
IPI057N08N3 G Фотографії
IPI057N08N3 G Ціна
IPI057N08N3 G Пропозиція
IPI057N08N3 G Найнижча ціна
IPI057N08N3 G Пошук
IPI057N08N3 G Закупівля
IPI057N08N3 G Чіп