Купити Infineon Technologies IPT60R028G7XTMA1 MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

IPT60R028G7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8

Номер деталі

IPT60R028G7XTMA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

CoolMOS™ G7

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerSFN

Пакет пристроїв постачальника

PG-HSOF-8

Розсіювана потужність (макс.)

391W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 28.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1.44mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

123nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

4820pF @ 400V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 40224 PCS

Контактна інформація