Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SPB80N03S2L-03 G

SPB80N03S2L-03 G

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Номер деталі
SPB80N03S2L-03 G
Виробник/бренд
Серія
OptiMOS™
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет пристроїв постачальника
PG-TO263-3-2
Розсіювана потужність (макс.)
300W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
220nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
8180pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 26153 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SPB80N03S2L-03 G
SPB80N03S2L-03 G Електронні компоненти
SPB80N03S2L-03 G Продажі
SPB80N03S2L-03 G Постачальник
SPB80N03S2L-03 G Дистриб'ютор
SPB80N03S2L-03 G Таблиця даних
SPB80N03S2L-03 G Фотографії
SPB80N03S2L-03 G Ціна
SPB80N03S2L-03 G Пропозиція
SPB80N03S2L-03 G Найнижча ціна
SPB80N03S2L-03 G Пошук
SPB80N03S2L-03 G Закупівля
SPB80N03S2L-03 G Чіп