Купити Infineon Technologies SPP02N60C3HKSA1 MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SPP02N60C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB

Номер деталі

SPP02N60C3HKSA1

Виробник/бренд

Infineon Technologies

Серія

CoolMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3

Пакет пристроїв постачальника

PG-TO220-3-1

Розсіювана потужність (макс.)

25W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

650V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

1.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 80µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

12.5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

200pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 11899 PCS

Контактна інформація