Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFP10N80P

IXFP10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
Номер деталі
IXFP10N80P
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™, PolarHT™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-220-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-220AB
Розсіювана потужність (макс.)
300W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
800V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
40nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2050pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 50826 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFP10N80P
IXFP10N80P Електронні компоненти
IXFP10N80P Продажі
IXFP10N80P Постачальник
IXFP10N80P Дистриб'ютор
IXFP10N80P Таблиця даних
IXFP10N80P Фотографії
IXFP10N80P Ціна
IXFP10N80P Пропозиція
IXFP10N80P Найнижча ціна
IXFP10N80P Пошук
IXFP10N80P Закупівля
IXFP10N80P Чіп