Купити IXYS IXFQ10N80P MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

Номер деталі

IXFQ10N80P

Виробник/бренд

IXYS

Серія

HiPerFET™, PolarHT™

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-3P-3, SC-65-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-3P

Розсіювана потужність (макс.)

300W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

800V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

10A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1 Ohm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

40nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2050pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 30173 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

IXFQ10N80P

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P