Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFV12N80P
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
Номер деталі
IXFV12N80P
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™, PolarHT™
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-220-3, Short Tab
Пакет пристроїв постачальника
PLUS220
Розсіювана потужність (макс.)
360W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
800V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2800pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 27500 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова IXFV12N80P
IXFV12N80P Електронні компоненти
IXFV12N80P Продажі
IXFV12N80P Постачальник
IXFV12N80P Дистриб'ютор
IXFV12N80P Таблиця даних
IXFV12N80P Фотографії
IXFV12N80P Ціна
IXFV12N80P Пропозиція
IXFV12N80P Найнижча ціна
IXFV12N80P Пошук
IXFV12N80P Закупівля
IXFV12N80P Чіп