Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
MG12150D-BA1MM
IGBT 1200V 210A 1100W PKG D
Номер деталі
MG12150D-BA1MM
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Робоча температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Chassis Mount
Пакет / футляр
Module
Потужність - Макс
1100W
Конфігурація
Half Bridge
Пакет пристроїв постачальника
D3
Струм - колектор (Ic) (макс.)
210A
Напруга - пробій колектора емітера (макс.)
1200V
Струм - відсічення колектора (макс.)
1mA
Тип IGBT
-
Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 150A (Typ)
Вхідна ємність (Cies) @ Vce
11nF @ 25V
Введення
Standard
Термістор NTC
No
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 10623 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова MG12150D-BA1MM
MG12150D-BA1MM Електронні компоненти
MG12150D-BA1MM Продажі
MG12150D-BA1MM Постачальник
MG12150D-BA1MM Дистриб'ютор
MG12150D-BA1MM Таблиця даних
MG12150D-BA1MM Фотографії
MG12150D-BA1MM Ціна
MG12150D-BA1MM Пропозиція
MG12150D-BA1MM Найнижча ціна
MG12150D-BA1MM Пошук
MG12150D-BA1MM Закупівля
MG12150D-BA1MM Чіп