Купити Nexperia USA Inc. PHKD3NQ10T,518 MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PHKD3NQ10T,518

MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC

Номер деталі

PHKD3NQ10T,518

Виробник/бренд

Nexperia USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Робоча температура

-65°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Потужність - Макс

Пакет пристроїв постачальника

8-SO

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

21nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

633pF @ 20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 35665 PCS

Контактна інформація