Купити NXP USA Inc. PHB110NQ06LT,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

PHB110NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Номер деталі

PHB110NQ06LT,118

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Пакет пристроїв постачальника

D2PAK

Розсіювана потужність (макс.)

200W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

55V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

45nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3960pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±15V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 5938 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

PHB101NQ04T,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK