Купити NXP USA Inc. PHD55N03LTA,118 MOSFET N-CH 25V 55A DPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PHD55N03LTA,118

MOSFET N-CH 25V 55A DPAK

Номер деталі

PHD55N03LTA,118

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

DPAK

Розсіювана потужність (макс.)

85W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

25V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

55A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

950pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 30671 PCS

Контактна інформація