Купити NXP USA Inc. PHK28NQ03LT,518 MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PHK28NQ03LT,518

MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC

Номер деталі

PHK28NQ03LT,518

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Пакет пристроїв постачальника

8-SO

Розсіювана потужність (макс.)

6.25W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

23.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

30.3nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2800pF @ 20V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 15506 PCS

Контактна інформація