Купити NXP USA Inc. PHM30NQ10T,518 MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PHM30NQ10T,518

MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON

Номер деталі

PHM30NQ10T,518

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-VDFN Exposed Pad

Пакет пристроїв постачальника

8-HVSON (6x5)

Розсіювана потужність (макс.)

62.5W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

37.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

53.7nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3600pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 53784 PCS

Контактна інформація