Купити NXP USA Inc. PHN210,118 MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PHN210,118

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

Номер деталі

PHN210,118

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Робоча температура

-65°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Потужність - Макс

Пакет пристроїв постачальника

8-SO

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

6nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

250pF @ 20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 9755 PCS

Контактна інформація