Купити NXP USA Inc. PHT6N06T,135 MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

PHT6N06T,135

MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223

Номер деталі

PHT6N06T,135

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-261-4, TO-261AA

Пакет пристроїв постачальника

SOT-223

Розсіювана потужність (макс.)

8.3W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

55V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

5.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

175pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 40368 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

PHT6N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223