Купити NXP USA Inc. PHW80NQ10T,127 MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PHW80NQ10T,127

MOSFET N-CH 100V 80A SOT429

Номер деталі

PHW80NQ10T,127

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-247-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-247-3

Розсіювана потужність (макс.)

263W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

109nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

4720pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 21464 PCS

Контактна інформація