Купити NXP USA Inc. PMWD19UN,518 MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

PMWD19UN,518

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Номер деталі

PMWD19UN,518

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

TrenchMOS™

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Digi-Reel®

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Потужність - Макс

2.3W

Пакет пристроїв постачальника

8-TSSOP

Тип FET

2 N-Channel (Dual)

Функція FET

Logic Level Gate

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

700mV @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

28nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1478pF @ 10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 19861 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP